2月17日，据“HKC惠科股份”，近日，HKC惠科在高端显示领域取得重大突破，成功完成全球首款硅基GaN单芯集成全彩Micro-LED芯片 （SiMiP）在微间距LED大屏直显领域的应用的研发。

据悉，该技术是HKC惠科基于立琻半导体SiMiP芯片基础上的共同研发，与立琻半导体融合双方在芯片，显示方案及产业链资源上的核心优势，成功推动SiMiP芯片技术的应用落地，提升了产品生产效率与显示效果。

HKC惠科表示，基于微间距LED大屏直显领域迅速发展，伴随着像素间距的进一步微缩，缩小芯片在COB产品的需求急速提升。MiP方案成为微间距大屏直显技术发展的不二选择。此次研发的SiMiP技术通过单芯集成红绿蓝三基色像元，简化生产与修复工艺，该技术可大幅提高微间距LED显示模组生产的直通良率，显著降低生产成本，兼具高性能和成本的优势，将进一步推动微间距LED大屏直显技术的革新与普及。

SiMiP核心优势 

01工艺简化，良率提升采用单芯片集成方案，无需复杂的巨量转移和修复工艺，直通良率显著提高。 

02成本优化，环保升级通过创新技术路线，减少传统工艺中的复杂环节，同时避免使用有毒材料，更具环保优势。 

03性能卓越，一致性高红绿蓝三基色像元在发光波长、工作电压及出光分布上具有高度一致性，从根本上解决了传统方案的色偏问题。 

近年来，惠科持续加码Mini/Micro-LED技术研发与产能建设，累计投资超百亿元，构建了从技术研发到规模化生产的完整生态链。此次SiMiP芯片技术的成功应用，进一步巩固了惠科在高端显示领域的技术领先地位。